DR-H203-1B半導體器件高低溫沖擊試驗箱
半導體器件高低溫沖擊試驗箱(也稱為溫度沖擊試驗箱)是一種用于測試半導體器件在惡劣溫度變化下性能穩定性的設備。它模擬器件在實際使用環境中可能遇到的溫度驟變情況,測試器件的耐溫性和可靠性。具體來說,試驗箱可以迅速將溫度從高溫轉變到低溫,或者從低溫轉變到高溫,以測試半導體器件在這種沖擊環境下是否會出現故障或性能退化。
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更新日期
2025-11-06 - 02
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